Developpement d'une technique d'analyse localisee des defauts electriquement actifs dans les semiconducteurs

New technique for localized analysis of electrically active defects in semiconductors

• Auteur / Autrice : Thomas Heiser
• Direction : Paul Siffert
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Joint grain

Heterodiffusion

Bicristal

Niveau profond

Impurete profonde

Methode etude

Non metal

Silicium

Grain boundary

Impurity diffusion

Bicrystal

Deep level

Deep impurities

Investigation method

Non metal

Silicon

Résumé

Methode basee sur l'emission thermique de porteurs electriques pieges par les niveaux profonds dans la bande interdite. La modelisation de la technique a permis de determiner l'influence des divers parametres physiques sur la resolution spatiale de la technique et d'etablir les conditions optimales de mesures. L'exploitation numerisee des signaux augmente sensiblement la capacite de detection de la technique. Le phenomene de "gettering" de l'or par les dislocations ainsi que la diffusion acceleree de l'or a travers le joint de grain d'un bicristal de silicium ont ete mis en evidence