Elaboration de modèles comportementaux pour la simulation d'interrupteurs de puissance en commutation

par Olivier Hamel

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.

Soutenue en 1988

à Lyon, INSA , en partenariat avec LCPA - Laboratoire de composants de puissance et applications (Lyon, INSA) (laboratoire) .


  • Résumé

    Ce mémoire traite de la modélisation comportementale d'interrupteurs de puissance en commutation. Deux composants de puissance sont modélisés : la diode et le transistor M. O. S. Chaque composant est considéré comme une "boîte noire", ce formalisme possède de nombreux avantages tels que : un très bon comportement numérique, peu de paramètres physiques à extraire, la facilité d'association des différentes boîtes noires, En ce qui concerne la diode, cette étude, bien que basée sur les équations classiques des semiconducteurs, est originale et permet d'obtenir un modèle qui donne entière satisfaction dans un large domaine de conditions de commutation. A partir du modèle classique et semi-empirique du transistor M. O. S. , un modèle qui prend en compte les capacités non linéaires est développé. Ce modèle donne des résultats cohérents aussi bien sur charge résistive qu'inductive. L'association de ces deux modèles permet de simuler une cellule élémentaire de commutation et d'obtenir des résultats réalistes. Ce travail est la première étape pour la réalisation d'un outil de simulation performant pour la C. A. O. En électronique de puissance

  • Titre traduit

    = Implementation of behavioural models for the simulation of power switches


  • Résumé

    This thesis deals with the behavioural modelisation of power devices working under switching conditions: both power diodes and MOSFET's are modelised. Fach device is considered as a "black box", which is a representation offering many advantages a good numerical behaviour, few physical parameters to extract, the relative ease of association of black boxes. This study, with regard to the diode, is original though based on the classical equations of semiconductors. Good correlations between simulations and experiences are obtained with this model. A model taking into account non linear capacitances is developed through the classical semi-empirical model of power MOSFET's. The results are coherent under switching conditions on either resistive or inductive loads. An elementary switching cell associating the models of both devices allows to give realistic results of simulations. This study is the firs t step to obtain a simulation tool dedicated to power electronics CAD.

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Informations

  • Détails : 2 vol. : vol 1 (thèse et annexe)(138 p., a1-c10).), vol 2 (annexes confidentielles)(37p.)
  • Notes : Publication autorisée par le juryDonnées extraites des formulaires d'enregistrement des thèses soutenuesLe volume 2 contient des annexes confidentielles non communiquées initialement au dépôt de la thèses et retrouvées ultérieurement.
  • Annexes : Bibliogr. p. 135-138

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1077)
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : T1357

Cette version existe également sous forme de microfiche :

  • Bibliothèque : Université de Lille. Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de Sciences Humaines et Sociales.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 1988ISAL0065
  • Bibliothèque : Université Paris-Est Créteil Val de Marne. Service commun de la documentation. Section multidisciplinaire.
  • PEB soumis à condition
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