Etude et realisation de structures bipolaires particulieres a heterojonction gaas-gaaias : application aux circuits integres de type ecl

par Josiane Tasselli

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Gérard Rey.

Soutenue en 1986

à Toulouse 3 .


  • Résumé

    Ce memoire presente l'etude et la realisation d'un circuit integre bipolaire de type ecl sur arseniure de gallium. Une etude theorique de transistors bipolaires a double heterojonction a montre l'influence determinante de la jonction collecteur-base, notamment de sa gradualite, sur leur comportement electrique. Ces resultats ont pu etre confirmes par une analyse experimentale a partir de structures realisees par epitaxie en phase liquide. La simulation et l'optimisation d'un oscillateur en anneau a base de simples heterotransistors et mettant en oeuvre le logiciel astec iii, ont permis de calculer des temps de propagation par porte de 20 ps pour une puissance consommee de 4 mw; ceci confirme les potentialites de la filiere logique bipolaire sur asga. Enfin, un oscillateur en anneau a 3 portes ecl a ete concu et realise par les technologies d'epitaxie en phase liquide et d'attaques mesas, a partir d'un processus nouveau sur substrat semi-isolant. La faisabilite d'un circuit integre bipolaire asga a ainsi ete montree

  • Titre traduit

    Study and realization of gaas/gaalas bipolar heterostructures. Application to the ecl integrated circuits


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  • Détails : 1 vol. (153 P.)
  • Annexes : 70 REF

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1986TOU30019

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  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 1986TOU30019
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