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Thèse soutenue

Photorécepteur monolithique intégrant un phototransistor et des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs pour transmission par fibre optique

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Auteur / Autrice : Haila Wang
Direction :  Directeur de thèse inconnu
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées. Électronique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Résumé

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Ce travail présente la conception, la réalisation et la caractérisation d'un photorécepteur monolithique intégrant un phototransistor et des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs pour transmissions par fibre optique. Ce premier photorécepteur monolithique au monde intégrant des composants bipolaires à hétérojonction comprend un phototransistor, deux transistors à hétérojonction GaAlAs/GaAs et quatre résistances. La puissance minimum détectable de ce photorécepteur a été déduite des mesures du rapport signal sur bruit et de la bande passante: -30 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9. Ce résultat qui peut encore être amélioré est déjà parmi les meilleurs obtenus pour un circuit monolithique de photoréception applicable aux réseaux locaux de vidéocommunications par fibre optique multimode à 0,85um. Les transistors et phototransistors bipolaires à hétérojonction ont été caractérisés: Le gain en courant maximum dépasse 1000, les fréquences de transition fT des phototransistors et des transistors sont respectivement 2 GHz et 8 GHz. Les modèles de transistor et phototransistor bipolaire à hétérojonction obtenus par extraction des paramètres à partir des paramètres S permettent une conception plus rigoureuse des circuits bipolaires à hétérojonction. Des simulations utilisant ces modèles montrent que le photorécepteur a une sensibilité potentielle de -40 dBm à 140 Mbit/s pour un taux d'erreur de 10-9.