Caractérisation des transistors couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné : analyse des processus de dégradation

par François Roy

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1986

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Dans ce mémoire, nous présentons une analyse des mécanismes de dégradation qui sont à l'origine de la dérive du comportement électrique des transistors couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné. L'étude repose sur l'évolution des grandeurs électriques caractérisant la structure MOS. Elle a permis de mettre en évidence : - la création de liaisons brisées dans la zone active du transistor, - l'augmentation des états de surface à l'interface Si02-Si:H, - l'augmentation de la température caractéristique des distributions exponentielles d'états de queue de bande. Le choix de la procédure expérimentale a permis de montrer que le processus est : - non activé thermiquement, - induit par les porteurs libres accumulés dans le canal sous effet de champ, et que la cinétique de ce mécanisme suit une loi "temps1/3". Par ailleurs, l'étude d'un transistor ambipolaire montre que la dégradation sous contrainte électrique est une composante de l'effet Staebler-Wronski. L'accumulation d'électrons libres ou de trous libres conduit, indépendamment, à l'augmentation des liaisons brisées.

  • Titre traduit

    Hydrogenated amorphous silicon thin film transistors characterization : instability mechanisms analysis


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Informations

  • Détails : 1 vol. (193 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. f. 181-187

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1986)267
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