Contribution a l'etude d'associations monolithiques de composants mos et bipolaires : le thyristor a gachette isolee

par Danielle Darees

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Philippe Leturcq.

Soutenue en 1986

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Etude des composants de type "thyristor a gachette isolee" pour les applications en haute tension, forte puissance. On presente des associations monolithiques de composants mos et bipolaires, en precisant les modes possibles de declenchement. On propose une nouvelle approche: substituer une grille mos a la region de gachette des transistors classiques garantissant ainsi, a priori, les capacites bien superieures en tension et en courant. Une modelisation tres poussee des thyristors a commande isolee est effectuee. Conception et realisation d'un thyristor a gachette amplificatrice mos

  • Titre traduit

    A contribution to the design of monolithic mos and bipolar device associations : the insulated gate thyristor


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  • Détails : 1 vol. (157 P.)
  • Annexes : 46 REF

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1986/159/DAR
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