Hétéroépitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs II-VI

par Christophe Fontaine

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Jean-Claude Pfister.

Soutenue en 1986

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude de l'heteroepitaxie de cdte, cd::(1-x)zn::(x)te et cd::(x)hg::(1-x)te sur cdznte, insb et gaas (001) et (111) et des differents parametres qui gouvernent la qualite cristalline. Il s'avere que la croissance (001) est meilleure que la croissance (111). L'interet d'une interface graduelle est demontre a fort desaccord de maille. A faible desaccord de mailles les contraintes dans les couches epitaxiques ont ete mesurees. Dans ces conditions experimentales, la relaxatioon des couches est gouvernee par un mecanisme de generation de dislocations et non par l'activation thermique des dislocations presentes. Les modeles existants ne permettent pas de decrire la relaxation dans les couches cdte. Presentation d'un modele qui rend compte des observations

  • Titre traduit

    Heteropitaxial layers of 2. 6 semiconductors grown by the molecula beam technique


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 162, 21 p., [20] f. de pl
  • Annexes : Bibliographie

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 86/GRE1/0062
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.