Hétéroépitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs II-VI

Heteropitaxial layers of 2. 6 semiconductors grown by the molecula beam technique

• Auteur / Autrice : Christophe Fontaine
• Direction : Jean-Claude Pfister
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Couche mince

Croissance cristalline

Epitaxie

Heteroepitaxie

Compose ii-vi

Etude experimentale

Compose mineral

Condensation faisceau moleculaire

Contrainte

Accommodation reseau

Support

Solution solide

Composition chimique

Metal transition compose

Relaxation structurale

Dislocation

Modele

Cadmium tellure

Cadmium mercure ii tellurure mixte

Cadmium zinc tellurure mixte

Thin film

Crystal growth

Epitaxy

Heteroepitaxy

Ii-vi compound

Experimental study

Inorganic compound

Molecular beam condensation

Constraint

Mismatch lattice

Support

Solid solution

Chemical composition

Transition metal compounds

Structure relaxation

Dislocation

Models

Cadmium tellurium

Cadmium mercury ii tellurides mixed

Cadmium zinc tellurides mixed

Résumé

Etude de l'heteroepitaxie de cdte, cd::(1-x)zn::(x)te et cd::(x)hg::(1-x)te sur cdznte, insb et gaas (001) et (111) et des differents parametres qui gouvernent la qualite cristalline. Il s'avere que la croissance (001) est meilleure que la croissance (111). L'interet d'une interface graduelle est demontre a fort desaccord de maille. A faible desaccord de mailles les contraintes dans les couches epitaxiques ont ete mesurees. Dans ces conditions experimentales, la relaxatioon des couches est gouvernee par un mecanisme de generation de dislocations et non par l'activation thermique des dislocations presentes. Les modeles existants ne permettent pas de decrire la relaxation dans les couches cdte. Presentation d'un modele qui rend compte des observations