Etude de la faisabilité d'une filière CMOS micronique sur silicium sur isolant

par André-Jacques Auberton-Hervé

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.

Soutenue en 1986

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    La première partie de cette étude concerne l'optimisation d'une technique d'élaboration du matériau SOI : la recristallisation par microfusion de zone utilisant un faisceau laser. Les points abordés sont les suivants: la génération de défauts cristallins dans le cadre d'une méthode de germination qui consiste a utiliser le substrat initial comme référence cristalline; la modélisation numérique de l'aspect thermique de la technique de germination; l'interaction entre l'aspect thermique et la croissance cristalline lors de la génération de défauts cristallins ou morphologiques; la mise en place d'une méthodologie de réalisation de dispositifs électriques dans ce type de matériau. Dans une deuxième partie, nous avons développé une modélisation du transistor SOI en couche mince en nous appuyant sur des résultats expérimentaux obtenus à la fois sur le matériau décrit dans la première partie et sur des substrats SOI réalisés par implantation d'oxygène simox. Cette modélisation concerne la tension de seuil, la faible, la forte inversion, les effets de substrat flottant, pour les dispositifs MOS microniques dans le cadre d'un fonctionnement couplé entre l'interface avant et l'interface arrière. Dans la dernière partie, nous présentons les résultats obtenus dans le cadre de la faisabilité d'une filière micronique CMOS sur silicium isolant et les bases de l'optimisation d'une telle filière.

  • Titre traduit

    The feasibility of a micron cmos silicon on insulator technology


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Informations

  • Détails : 1 vol. (290 p.)
  • Annexes : Bibliographie 141 références

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : T1262
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