AlGaAs  Alliages GeSn  Amplification sensible à la phase  Arseniures  Arséniure de gallium  Boîte quantique  Boîtes quantiques  Boîtes quantiques InAsP/InP  Cohérence  Cohérence spatiale et temporelle  Collage moléculaire  Composants à puits quantiques Ge/SiGe  Composés semiconducteurs  Contact Métal/n-InP  Contact Métal/p-InGaAs  Contacts métal-semiconducteur  Couches minces  Couches minces optiques  Courbure de bande induite par la pointe  Cristal photonique  Cristaux photoniques  Croissance sélective  Cryogénie  Cryotechnique  Diffusion  Diode laser  Diodes pin à illumination  Diodes électroluminescentes organiques  Dispositifs optoélectroniques  Disques  Dissipation d'énergie  Dopage n  Dynamique  Dynamique laser  Dépôt Chimique Phase Vapeur à Pression Réduite  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Electro-absoption  Electroluminescence  Epitaxie  Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques  Excitons  Fabrication  Filtres optiques interférentiels  Fluorescence induite par laser  GaN  Gain modal  Gain optique  Ge Pur  Ge dopé P  Germanium  Granulométrie  Guides d'ondes  Hyperfréquence  Hétéroépitaxie  Iii-V  Imagerie de résistivité électrique  Imagerie infrarouge  Imagerie terahertz  Imageur  InGaAs  InGaAsP  InP  Infrared  Innovations technologiques  Intégration  Laser GeSn  Laser III-V  Laser MIR/NIR de forte puissance  Laser bi-Fréquence  Laser bifréquence  Laser continuum  Laser organique  Laser vortex  Laser à cascade quantique  Lasers  Lasers dans l'industrie des semiconducteurs  Lasers à cascade quantique  Lasers à infrarouges  Lasers à semiconducteur  Lasers à semiconducteurs  Lasers à émission par la surface à cavité verticale  Les liens optiques  L’Effet Stark Confiné Quantiquement  M-lines  Mesures d’indice efficace  Microscopie à effet tunnel  Microscopie électronique en transmission  Microélectronique  Miroir filtrant  Mocvd  Modes laser  Modes transverses de Laguerre-Gauss  Modèles électromagnétiques  Monofréquence  Moyen infrarouge  Multimode  Mélange à quatre ondes  Nano  Nanoparticules  Nanophotonique  Nanotechnologie  Nitrure de gallium  OLED  Optique  Optique appliquée  Optique intégrée  Optique laser  Optique non linéaire  Optique nonlinéaire  Optomécanique  Optoélectronique  Oscillateur paramétrique optique  Parois d'antiphase  Photodiodes  Photoluminescence  Photonique  Photonique intégrée  Photonique silicium  Photonique sur Silicium  Photonique sur silicium  Photosensibilité.  Points quantiques  Polaritons inter-Sous-Bandes  Pompage électrique  Proche infrarouge  Propriétés optiques  Puits quantiques  Quantique  Rayonnement Térahertz  Résonateurs optiques  SWIR  Semi-Conducteurs  Semiconducteur  Semiconducteur III/V  Semiconducteur grand gap  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs -- Jonctions  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  Semiconducteurs organiques  Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Semiconducteurs à large bande interdite  Semipolaire  SiN  Silicium -- Substrats  Silicium  Source de photons uniques  Spectroscopie  Spectroscopie THz dans le domaine temporel  Stark, Effet  THz  Thermodynamique  Thèses et écrits académiques  Théorie quantique  Transfert de contrainte  Transitions inter-Sous-Bandes  VeCSEL  Vecsel  Verres de chalcogénures  Vortex .OAM  Vélocimetrie. granulometrie  Zinc  Éléments optiques diffractifs  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie à jet moléculaire  

Isabelle Sagnes a rédigé la thèse suivante :


Isabelle Sagnes a dirigé les 5 thèses suivantes :

Physique. Matière condensée et interfaces
Soutenue le 10-03-2017
Thèse soutenue
Physique fondamentale et appliquée
Soutenue en 2011
Thèse soutenue


Isabelle Sagnes a été président de jury des 8 thèses suivantes :

Électronique
Soutenue le 09-12-2016
Thèse soutenue


Isabelle Sagnes a été rapporteur des 6 thèses suivantes :

Physique des matériaux
Soutenue le 03-10-2017
Thèse soutenue


Isabelle Sagnes a été membre de jury des 4 thèses suivantes :