Thierry Baron
Thierry Baron a rédigé la thèse suivante :
Dopage des semiconducteurs II-VI à base de tellure et réalisation de structures quantiques
par Thierry Baron sous la direction de Serge Tatarenko et de Krishna Saminadayar . - Grenoble 1
Physique
Soutenue en 1996
Thierry Baron dirige actuellement les 3 thèses suivantes :
Dispositifs photoniques avec des teneurs en In et Ga réduites
par Pauline Hauchecorne sous la direction de Thierry Baron et de Bérangère Hyot . - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2018
Étude et caractérisation de structures III-V épitaxiées sur germe InP collé sur silice : applications aux circuits photoniques III-V intégrés sur silicium pour le haut débit
par Claire Besancon sous la direction de Thierry Baron - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 04-09-2017
Croissance par MOCVD et propriétés de boîtes quantiques InAs/GaAs épitaxiées sur silicium
par Oumaima Abouzaid sous la direction de Thierry Baron et de Abdelaziz Ahaitouf . - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 12-10-2016
Thierry Baron a dirigé les 21 thèses suivantes :
Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité
par Tiphaine Cerba sous la direction de Thierry Baron - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 24-10-2018
Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques de semiconducteurs III-As sur substrat silicium et formation de contacts ohmiques pour les applications photoniques et RF sur silicium
par Reynald Alcotte sous la direction de Thierry Baron et de Yann Bogumilowicz . - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 02-02-2018
Nouvelles approches d'utilisation de la spectroscopie de photoélectrons à rayons X (XPS) pour le développement et le contrôle des technologies FDSOI avancées
par Laurent Fauquier sous la direction de Thierry Baron - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 06-12-2017
Fabrication et caractérisation de cellules photovoltaïques à base de phosphure de gallium sur silicium
par Médéric Descazeaux sous la direction de Thierry Baron - Grenoble Alpes
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 28-11-2017
Croissance sélective de pseudo-substrats de GaN sur silicium pour des applications optoélectroniques
par Gautier Laval sous la direction de Thierry Baron - Grenoble Alpes
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 27-03-2017
Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité
par Mathilde Billaud sous la direction de Thierry Baron et de Thomas Ernst . - Grenoble Alpes
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 31-01-2017
Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique
par Romain Cipro sous la direction de Thierry Baron et de Yann Bogumilowicz . - Grenoble Alpes
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 29-06-2016
Caractérisation par faisceaux d’ions d’hétérostructures III-V pour les applications micro et optoélectroniques
par Viktoriia Gorbenko sous la direction de Thierry Baron , Franck Bassani et de Jean-Paul Barnes . - Grenoble Alpes
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 18-12-2015
Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN
par Pauline Serre sous la direction de Thierry Baron et de Céline Ternon . - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 24-11-2014
VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors
par Priyanka Periwal sous la direction de Thierry Baron - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 25-09-2014
Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
par Guillaume Rosaz sous la direction de Thierry Baron - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 11-12-2012
Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés
par Guillaume Gay sous la direction de Thierry Baron - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 06-07-2012
Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique
par Alexis Potié sous la direction de Thierry Baron et de Laurent Montès . - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 05-01-2012
Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses
par Paul-Henry Morel sous la direction de Thierry Baron - Grenoble
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 13-12-2011
Etude et compréhension des mécanismes de croissance catalysés des nanofils de silicium obtenus par dépôt chimique en phase vapeur
par Fabrice Oehler sous la direction de Thierry Baron - Grenoble
Physique des matériaux
Soutenue en 2010
Nanofils de Silicium : Dépôt chimique en phase vapeur assisté par catalyseurs métalliques et prémices d'intégration
par Florian Dhalluin sous la direction de Thierry Baron - Grenoble 1
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2009
Propriétés électriques à l'échelle nanométrique des diélectriques dans les structures MIM et MOS
par Cédric Sire sous la direction de Thierry Baron et de Serge Blonkowski . - Grenoble 1
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2009
Etude de l’auto-organisation de films minces de copolymères diblocs en vue d’applications pour la microélectronique
par Karim Aissou sous la direction de Thierry Baron - Grenoble 1
Physique
Soutenue en 2008
Elaboration par PE-MOCVD à injection pulsée et caractérisation de matériaux à forte permittivité de type multicouches ou alliées pour des appliations capacités MIM
par Maurice Kahn sous la direction de Thierry Baron et de Catherine Dubourdieu . - Grenoble 1
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2008
Étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport de nanofils semiconducteurs et de plans de graphène
par Aurélien Lherbier sous la direction de Thierry Baron - Grenoble 1
Physique
Soutenue en 2008
Elaboration et caractérisation microscopique de matériaux à l'échelle nanométrique en vue de l'application aux mémoires non volatiles
par Joël Dufourcq sous la direction de Thierry Baron - Grenoble 1
Micro et nano-électronique
Soutenue en 2008
Thierry Baron a été président de jury des 5 thèses suivantes :
Corrélation luminescence/défauts étendus dans les structures à puits quantique InGaAs épitaxiées sélectivement sur substrats Si
par Joyce Roque sous la direction de François Bertin - Grenoble Alpes
Nanophysique
Soutenue le 17-12-2018
Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique
par Aurélien Lardeau-Falcy sous la direction de Joël Eymery - Grenoble Alpes
Physique des matériaux
Soutenue le 13-07-2018
Nanofils semiconducteurs : vers des objets magnétiques ultimes, mécanisme de croissance
par Marta Orrù sous la direction de Joël Cibert et de Edith Amalric . - Grenoble Alpes
Nanophysique
Soutenue le 26-09-2017
Réseaux de neurones impulsionnels basés sur les mémoires résistives pour l'analyse de données neuronales
par Thilo Werner sous la direction de Blaise Yvert et de Barbara De Salvo . - Grenoble Alpes
Nano-électronique et nano-technologies
Soutenue le 10-07-2017
Mesure de déformation et cristallinité à l'échelle nanométrique par diffraction électronique en mode précession
par Mathieu Pierre Vigouroux sous la direction de François Bertin et de Bernard Chenevier . - Grenoble Alpes
Nanophysique
Soutenue le 11-05-2015
Thierry Baron a été rapporteur des 5 thèses suivantes :
Ingénierie des défauts cristallins pour l’obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d’applications optoélectroniques
par Florian Tendille sous la direction de Philippe Vennéguès et de Philippe de Mierry . - Nice
Physique
Soutenue le 24-11-2015
Procédé de croissance et caractérisation avancée de nanocristaux de silicium pour une intégration dans les mémoires non-volatiles
par Julien Amouroux sous la direction de Christophe Muller et de Damien Deleruyelle . - Aix-Marseille
Micro et Nanoélectronique
Soutenue le 29-11-2013
Croissance et caractérisation des nanofils de silicium et de germanium obtenus par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide
par Rym Boukhicha sous la direction de Daniel Bouchier - Paris 11
Physique
Soutenue le 03-03-2011
Modelisation des composants mono-electroniques : Single-Electron Transistor et Single-Electron Memory
par Aimen Boubaker sous la direction de Abdelkader Souifi et de Adel Kalboussi . - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 2010
Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de Silicium
par Lino Eugène sous la direction de Abdelkader Souifi , Dominique Drouin et de Vincent Aimez . - Lyon, INSA
Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 2009
Thierry Baron a été membre de jury des 6 thèses suivantes :
Epitaxie van der Waals de GaN sur graphène pour des applications en photonique
par Timotée Journot sous la direction de Jean Dijon - Grenoble Alpes
Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 21-12-2018
Intégration hétérogène de GaAs sur Si à partir de nano-germes : étude de la nucléation et de la croissance de micro-cristaux sur substrats Si (001) et (111)
par Marie Coste sous la direction de Daniel Bouchier - Paris Saclay
Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 20-12-2018
Auto-assemblage dirigé de copolymères à blocs de forte incompatibilité comprenant un bloc carbohydrate pour des applications de nano-Lithographie
par Djamila Ouhab sous la direction de Redouane Borsali , Raluca Tiron et de Sami Halila . - Grenoble Alpes
Sciences des polymères
Soutenue le 10-02-2016
Croissance auto-catalysée de nanofils d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode vapeur-liquide-solide : application aux interconnexions optiques sur puce
par Jean-Baptiste Barakat sous la direction de Michel Gendry - Ecully, Ecole centrale de Lyon
Physique des matériaux
Soutenue le 22-10-2015
Composant photovoltaïque innovant à base d’hétérojonction GaP/Si
par Thomas Quinci sous la direction de Alain Le Corre - Rennes, INSA
Sciences des matériaux
Soutenue le 02-07-2015
Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS
par Khalid Naji sous la direction de Michel Gendry et de Hervé Dumont . - Ecully, Ecole centrale de Lyon
Physique des matériaux
Soutenue le 18-11-2010
