28FDSOI  AED EM  AMDE, Méthode  Absorption à 2-photon  Accès et Service Universel  Afrique centrale  Agressions électromagnétiques de forte puissance  Aire de sécurité de fonction  AlGaN/GaN  AlInN/GaN  AlN  Aluminium  Amplificateurs faible bruit  Analyse de Défaillance  Analyse de circuits intégrés  Analyse de défaillance  Analyse micro-structurale  Analyses de défaillance électrique  Applications industrielles  Armes à énergie dirigée électromagnétique  Automatisation  Aviation  Aéronautique  Bruit  Bruit aux basses fréquences  Bruit basse fréquence  Bruit électrique  Bruit électronique  Bti  CMOS avancés  Cap-layer  Capacité thermique  Caractérisation  Caractérisation de défauts  Caractérisation électrique.  Caractérisations de semi-conducteurs  Caractérisations électriques  Carbure de silicium  Circuit intégré  Circuits intégrés  Commutation  Commutation  Composants III-V  Composants tridimensionnels  Composants électroniques  Connectivité  Contraintes électriques  Couche de pré-implantation  Courant de grille  De simulation thermique TCAD  Des mesures impulsionnelles  Destruction  Diagnostic ATPG  Diffusion de dopants  Diodes à barrière de Schottky  Dispersion basse fréquence,  Dispositifs électromagnétiques  Durée de vie  Défauts  Défauts électriques -- Localisation  Dégradation  Détection de défaut  Détérioration  Effects parasites  Effets de pièges  Effets parasites  Effets électrothermiques  Electromagnétisme  Emploi en diagnostic  Encapsulation  Encapsulation plastique  Essais  Expérimentale  Faisceaux laser  Fiabilité  Fibres photoniques  Fonds de Service Universel  GaAs  GaN  GaN HEMT  Grille métallique  Grille ultra-courte  HEMT  HEMT AlGaN/GaN  HEMT à enrichissement  HEMTs  Herméticité  Hyperfréquences  Hétéro-transistors bipolaires  Implantation  Impulsions laser ultra-brèves  Impédance thermique  Indicateur d’accès au Service Universel  Innovations technologiques -- Politique publique  Interaction laser photoélectrique/silicium  Interaction laser/Silicium  Ions -- Implantation  Irradiation à faible dose  Irradiations neutroniques  LNA  LVI  La modélisation de dispositifs semi-conducteurs  Lanthanum  Large bande  Large signal network analyzer  Laser  Laser photoélectrique  Lasers  Locale  Localisation de défauts  Localisation des Défauts  Logiciels  MFP  MOS  MOS complémentaires  MOSFET  MOSFETs  Matériaux -- Détérioration  Matériaux -- Effets des hautes températures  Mesures micro-ondes,  Mg  Micro-électronique  Microscopie  Microscopie Magnétique  Microscopie à émission de lumière dans le domaine visible-proche infrarouge et dans le domaine de l'UV  Microélectronique  Modèle  Modèle d'accès radio  Modèle d'accès réseau  Modèle électrothermique multi-gémoétries  Modèles  Modélisation  Modélisation des pièges  Mosfet  Mécanismes de dégradation  Méthodologie  Nanofil  Nanofils  Nanoélectronique  Neutrons thermiques  Nitrure d'aluminium  Nitrure de Gallium  Nitrure de gallium  Nonlinéaire  OBIRCh  Optique  Optique non linéaire  Optique non-linéaire  Photonique  Physique de la défaillance  Physique du composant  Pièges  Pièges optiques  Piégeage  Piégeages  Porteurs Chauds  Propriétés thermiques  Puissance  Pulvérisation cathodique  Pulvérisation cathodique RF  Quasi-statique  RF  Radio à transistors  Radio-fréquence  Recuit des cristaux  Recuit mono-cycle  Recuit multi-cycles  Relaxation isotherme  Résistance thermique  Satellites artificiels  Semiconducteurs  Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Silicium -- Substrats  Silicium  Simulation  Simulation TCAD  Simulation de stress laser thermique  Simulation par ordinateur  Simulation physique  Sources de bruit en 1/f  Spatial  Spectroscopie  Spectroscopie de bruit  Spectroscopie de rayons X  Spectroscopie des rayons X  Squid  Stimulation laser  Stress électriques  TFI  Techniques optiques  Technologie  Technologies de l'information et de la communication  Temps entre défaillances, Analyse des  Test THB  Tests de vieillissement accéléré  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ à dopage modulé  UMTS  Variabilité  

Nathalie Malbert a dirigé les 9 thèses suivantes :

Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
Soutenue en 2006
Thèse soutenue


Nathalie Malbert a été président de jury des 8 thèses suivantes :


Nathalie Malbert a été rapporteur des 13 thèses suivantes :

Electronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique microondes
Soutenue le 18-12-2018
Thèse soutenue
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 05-04-2018
Thèse soutenue
Electronique, microelectronique, optique et lasers, optoelectronique microondes
Soutenue le 05-01-2017
Thèse soutenue
Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Soutenue le 28-09-2016
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 14-12-2011
Thèse soutenue

Nathalie Malbert a été membre de jury des 3 thèses suivantes :