3d  ARV  Absorption par deux photons  Aire de sécurité de fonction  AlGaN  AlGaN/GaN  AlGaN/GaN III-V  AlInN/GaN  Aluminium  Amplificateurs de puissance  Analyse de défaillance  Analyse des dégradations  BTI  Bandes d’énergie  Bruit aux basses fréquences  Bruit électronique  Bti  CI analogique et mixte  CMOS 65 nm basse puissance  CMOS 65 nm, 45 nm and 32 nm  CMOS 65 nm, 45 nm et 32 nm  Calibrage sur silicium  Capacités MOM  Capteur de température  Capteurs  Caractérisation  Caractérisation Electrique  Caractérisation électrique  Caractérisation électrique.  Caractérisations électriques  Caractéristiques I-V et C-V  Carbure de silicium  Champs électriques  Chauffage in-Situ  Circuit lifetime  Circuits intégrés  Circuits intégrés analogiques numériques  Circuits intégrés tridimensionnels  Cmos/pmos  Co-Integration  Commande robuste  Composants III-V  Composants électroniques  Contraintes thermiques  Contraintes électriques  Contraintes électrothermiques  Convertisseurs continu-continu  Courant de grille  Current collapse  Cycles thermiques  D-mode  De-embedding  Diagnostic analogique  Diagnostique de fautes  Diode Schottky  Diodes à barrière de Schottky  Dispositifs à microondes  Dispositifs à ondes millimétriques  Diélectrique  Décharges électriques  Décharges électrostatiques  Défaut dynamique  Dégradation de l’oxyde de grille  Dégradation par porteurs chauds  Détection de défaut  Détérioration  E-Mode  E-mode  Effects parasites  Effets de pièges  Effets d’antenne  Effets parasites  Effets singuliers  Electromigration  Emission par porteurs chauds  Encapsulation  Encapsulation plastique  Epitaxie localisée  Esd  Extraction de paramètres  FDSOI  Fabrication  Faisceaux laser  Fd-Soi  Fiabilité  Film mince  Fluorures  Fréquences millimétriques  GaAs  GaAsSb  GaN  GaN HEMT  GaN HEMT de puissance,  Gallium -- Composés  Gauchissement hygromécanique  Gauchissement thermomécanique  Gaz bidimensionnel d'électrons  Gaz d'électrons  Gravure  Grille ultra-courte  Génération de seconde harmonique induite par laser  HEMT  HEMT AlGaN/GaN  HEMT GaN  HEMTs  Harmoniques  Haute tension  Herméticité  High-K  High-K oxyde  Hyperfréquences  Hétérojonction AlGaN/GaN  Implantation de lois de vieillissement  InAlN  InGaAs  InP  InP HBT  Intégration monolithique  Ions fluorures  Laser  Lasers -- Applications industrielles  Lasers  Layout  Lignes microruban  Localisation de défauts « soft »  Logiciels  MOM capacitors  MOS  MOS complémentaires  MOS transistors  Matériaux -- Détérioration  Mesure de champs électriques dans les circuits intégrés  Micro-batteries  Microscopie d'émission  Microscopie à émission de lumière dans le domaine visible-proche infrarouge et dans le domaine de l'UV  Microscopie électronique  Microstrip lines  Microélectronique  Millimeter-wave frequencies  Mise sous boîtier  Mobilité effective / Hall  Modes de défaillance  Modèle  Modèle Agilent HBT  Modèle HICUM  Modèle compact de vieillissement  Modélisation  Modélisation HCI  Modélisation compacte  Modélisation et simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI  Modélisation électrothermique  Mosfet  Mécanisme de défaillance  Mécanismes de dégradation  Méthodologie  Nbti  Nitrure d'aluminium  Nitrure de gallium  Normally-Off  Normally-off  Normally-on  Ondes kilométriques  Ondes millimétriques  Optique non linéaire  Oscillateurs en anneau  Otp  P-GaN  Photoabsorption  Photolithographie  Physique du composant  Phénomène photo-thermique et photoélectrique  Pièges optiques  Piégeage  Piégeage de charge à l’interface Si/SiO2  PoP  Porteurs chaud  Porteurs chauds  Power amplifiers  Process  Procédé plasma  Procédé technologique  Produits discrets  Préparation d'échantillon  Relaxation  Reliability  Robustesse  Robustesse électrothermique  Satellites artificiels  Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Semiconducteurs à large bande interdite  Simulation  Simulation physique  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ à dopage modulé  UMTS  Variabilité  Électromigration  Épitaxie  

Nathalie Labat a rédigé la thèse suivante :


Nathalie Labat a dirigé les 14 thèses suivantes :

Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
Soutenue en 2006
Thèse soutenue


Nathalie Labat a été président de jury des 10 thèses suivantes :


Nathalie Labat a été rapporteur des 11 thèses suivantes :

Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 12-07-2021
Thèse soutenue
Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue


Nathalie Labat a été membre de jury des 4 thèses suivantes :