Agrégats métalliques  AlGaN  Boîte quantique  Boîtes quantiques  CL  Capteurs optiques  Capteurs optiques intégrées  Caractérisation avancé  Cathodoluminescence  Cellule solaire  Cellule solaire tandem InGaN/Si  Cellules photoélectriques  Cellules solaires  Composants à base de nanofils  Composés semiconducteurs  Conversion photovoltaïque  Couches minces  Courant induit par faisceau d'électron  Courant induit par faisceau d'électrons  Courant induit par faisceau électronique  Cristallisation induite par l'aluminium  Croissance cristalline  Croissance sélective  DEL  Diode électroluminescente  Diodes électroluminescentes  Diodes électroluminescentes  Dispositifs optoélectroniques  Disques quantiques  Dopage de type n et type p  Dopage n  Dépôt en phase vapeur  Détecteurs de rayonnement infrarouge  EBIC  Ebic  Effet laser  Electroluminescence LEDs  Epitaxie  Epitaxie par jet moléculaire  Epitaxie par jets moléculaires  Flexibilité mécanique  Flexible  GaN  GaN/AlGaN  Graphène  HVPE  Hétérostructures  III-V  InGaN  Inter-Sous-Band  Jonction axiale GaAsP  Jonction p-N axiale  Jonction radiale  LED  LED verte  Led  Matériaux  Matérieaux  Micro-LED  Microcavité  Microdisque  Microfils  Microscopie confocale  Microscopie électronique en transmission  Microscopie électronique à balayage et en transmission  Mode VLS-EJM  Modelisation  Modules solaires  Modèles mathématiques  Moyen-Infrarouge  Nanlfils  Nano-agrégats métalliques  Nanofabrication  Nanofil  Nanofil GaAs coeur/coquille  Nanofils  Nanofils  Nanofils de silicium  Nanosciences  Nanostructures  Nanotechnologie  Nitrure  Nitrure de gallium  Nitrure de gallium  Nitrures  Nitrures III-V  Nitrures d’éléments III  Optique intégrée  Optoélectronique  Optoélectroniques  Photodetecteur  Photodétecteurs  Photoluminescence  Photonique  Photonique silicium  Photopiles  Photovoltaique  Photovoltaïque  Photovoltaïques  Piezogénérateur  Piézoélectricité  Plasmons  Points quantiques  Propriétés électriques  Puits quantiques  Rayons X -- Diffraction  Science des matériaux  Semiconducteur III-V  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs -- Défauts  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  Semiconducteurs piézoélectriques  Semiconducteurs à large bande interdite  SiGe  Silicium  Silicium  Simulation TCAD  Spectroscopie  Spectroscopie infrarouge  Spectroscopie optique  Substrats de verre  Systèmes moléculaires métalliques  Tandem  Thermodynamique  VLS assisté par plasma  ZnGeN2  ZnO  Écran  Électroluminescence  Électrooptique  Énergie solaire  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie par jet moléculaire  Épitaxie par jets moléculaires  

Maria Tchernycheva a rédigé la thèse suivante :


Maria Tchernycheva dirige actuellement les 3 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
En préparation depuis le 01-02-2019
Thèse en préparation

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
En préparation depuis le 01-10-2017
Thèse en préparation

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
En préparation depuis le 01-03-2017
Thèse en préparation


Maria Tchernycheva a dirigé les 8 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 13-12-2018
Thèse soutenue

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 04-12-2018
Thèse soutenue
Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 13-11-2018
Thèse soutenue
Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 12-10-2018
Thèse soutenue

Physique et Chimie des Matériaux
Soutenue le 22-11-2016
Thèse soutenue
Electronique et optoélectronique, nano- et microtechnologies
Soutenue le 10-05-2016
Thèse soutenue

Maria Tchernycheva a été président de jury des 2 thèses suivantes :


Maria Tchernycheva a été rapporteur des 8 thèses suivantes :

Nanophysique
Soutenue le 25-09-2018
Thèse soutenue

Maria Tchernycheva a été membre de jury des 6 thèses suivantes :