3C-SiC  3c-sic  4H-SiC  Accumulateurs au lithium  Activation  Activation électrique  Aire de sécurité  AlGaN GaN  AlN  Alliage Ti-Al  Alliages aluminium-silicium  Analyse RX et acoustique  Analyse de défaillance  Analyse optique des composants SIC  Analyse thermique  Analyses de défaillances  Anodisation  Arc électrique  Assemblage en haute température  Assemblages  Assemblages collés  Association de diodes  Avalanche  Batteries lithium-ion  Biréfringence  Brasure eutectique  Brasure or-germanium  Briques technologiques  Caméra IR  Canal latéral  Canal vertical  Cap-layer  Capacité Métal Diélectrique Diamant  Capacité de court-Circuit  Capacité thermique du substrat  Caractérisation  Caractérisation de semiconducteurs  Caractérisation d’arc  Caractérisation statique et dynamique  Caractérisation électrique  Caractérisation électrothermique de compsoants  Caractérisation électrothermique et thermomécanqiue  Caractérisations des matériaux  Caractéristiques I-V et C-V  Caratérisation électrique  Carbure  Carbure de Silicium  Carbure de silicium  Carbures  Cascode  Chaleur -- Stockage  Champ électrique  Chauffage ohmique  Circuits intégrés  Coefficient d'ionisation  Collage  Collage direct  Commande robuste  Commutation  Commutation cyclique  Commutation dure sous charge inductive avec et sans présence d’une diode de roue libre  Composant de puissance  Composant de puissance à semi-conducteur  Composant en Carbure de Silicium  Composants GaN e-Mode  Composants MOSC-HEMT  Composants de puissance  Composants en SiC  Composants électroniques  Composites -- Délaminage  Contact ohmique  Convertisseur de haute tension  Convertisseur de puissance  Convertisseur sous haute température  Convertisseurs électriques  Couche de pré-implantation  Couche épitaxiées de GaN sur substrat silicium  Courant induit par faisceau optique OBIC  Courant induit par ondes optiques - OBIC  Courants électriques  Court-Circuit  Court-circuit  Cristallogenèse  Cyclage thermique  Dbs  Deep-Level transient spectroscopy - DLTS  Densité de cellule  Dessin de masque  Diamant -- Couches minces  Diamant  Diamant monocristallin  Diffusion  Diode JBS  Diode OBIC  Diode PIN  Diode Schottky  Diode SiC-4H  Diode Zener  Diode bipolaire  Diode bipolaire JTE - Junction Termination Extension  Diode de puissance  Diode en SiC  Diode à avalanche  Diode à barrière de Schottky  Diode à haute tension  Diodes  Diodes PiN  Diodes de puissance  Diodes à barrière de Schottky  Dispositif de puissance  Distribution de courant et de température  Diélectriques  Dopage  Driver SOI haute température  Durée de vie  Durée de vie de porteurs  Défauts  Défauts étendus  Délaminage  Déphasage micro-Ondes  Détecteurs de neutrons  Détecteurs de rayonnement  Détecteurs de rayonnement ultraviolet  Détection d’arc  Détérioration  Effets des hautes températures  Electronique  Electronique de commutation  Electronique de puissance  Electronique impulsionnelle  Electrontechnique  Electrotechnique  Elévateur de tension boost  Essais  Extrations de paramètres  Fabrication  Fiabilité  Fiabilité des semiconducteurs  Frittage argent  Frittage d’argent  GaN  GaN HEMT  GaN HEMT de puissance,  Gallium -- Composés  Gaz bidimensionnel d'électrons  Gaz d'électrons  Gravure plasma  Gummel-Poon  Génération mono-Photonique  Génération multi-Photonique  HEMT  Haute temperature  Haute température  Haute tension  Hautes températures  Hauteur de la barrière Schottky - HBS  Hemt  Hétérojonction AlGaN/GaN  Hétérojonctions  Hétérostructure : SiGe  IGBT  ISO/SPICE, Modèle  Igbt  Implantation  Implantation d'ions  Impédance thermique  Industrie nucléaire  Inhomogénéité de la barrière  Injection de porteurs via une jonction p+/n en face arrière  Instrumentation Nucléaire  Interrupteur bidirectionnel  Interrupteur de puissance  Interrupteur haute tension  Interrupteurs à semiconducteurs  Interrupteurs électriques  Ions -- Implantation  Irradiation  Isolation électrique  Matériaux -- Effets des hautes températures  Modes de défaillance  Modélisation  Modélisation physique  Modélisation électrothermique  Nitrure de gallium  Propriétés électriques  Robustesse  Résistance des matériaux  Semiconducteurs -- Dopage  SiC  Silicium -- Substrats  Silicium  Simulation par ordinateur  Transistors  Transistors bipolaires  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Vieillissement  Vieillissements accélérés  Électricité  Électronique de puissance  Éléments finis, Méthode des  

Dominique Planson a rédigé la thèse suivante :


Dominique Planson a dirigé les 20 thèses suivantes :


Dominique Planson a été président de jury des 10 thèses suivantes :

Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 08-03-2019
Thèse soutenue
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 02-03-2018
Thèse soutenue

Dominique Planson a été rapporteur des 14 thèses suivantes :

Electronique
Soutenue le 09-03-2017
Thèse soutenue

Milieux denses, matériaux et composants
Soutenue le 31-01-2013
Thèse soutenue


Dominique Planson a été membre de jury des 5 thèses suivantes :