Bernard Balland
Bernard Balland a dirigé les 16 thèses suivantes :
Caractérisation et modélisation des propriétés des couches de SiO2 : application aux têtes de lecture-écriture pour disques durs et aux mémoires EEPROM
par Silvia Croci sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Électronique
Soutenue en 2001
Etude par pompage de charge et par mesures de bruit basse fréquence de transistors MOS à oxynitrures de grille ultra-minces
par Pascal Masson sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1999
Réalisation et analyse-caractérisation de dispositifs MOS à diélectrique de grille Ta2O5
par Christophe Chanelière sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 1999
Etude des mécanismes de gravure des grilles polysilicium en plasma haute densité pour les technologies CMOS submicroniques : caractérisation des défauts électriques induits sur structures MOS
par Christophe Vérove sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Dispositif de l'électronique intégrée
Soutenue en 1998
Détection et caractérisation de défauts individuels électriquement actifs dans des cellules mémoires de dispositifs "DRAM"
par Sylvie Pierunek sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Génie électronique
Soutenue en 1997
Adaptation des méthodes de caractérisation électrique au cas des structures M. O. S. à oxyde très mince : application à l’étude des dégradations sur les capacités à oxyde de grille nitrure
par Frédéric Seigneur sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Électronique
Soutenue en 1995
Etude de bore implante a faible énergie dans le système SIO2/Si-MONO : Effet d'un recuit thermique RTA sur la diffusion de l'implant et le spectre de défauts ponctuels
par Lanouar Kaabi sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1994
Contribution au développement de nouvelles techniques de pompage de charge pour l'étude des défauts d'interface dans les transistors MOS silicium submicroniques
par Jean-Luc Autran sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Dispositifs de l'Electronique Intégrée
Soutenue en 1994
Mise au point d'un dispositif expérimental pour l’étude des structures MOS : Application à l’étude du vieillissement des TMOS microniques par la technique de pompage de charge
par Farid Djahli sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1992
Dépôt chimique en phase vapeur à l’intérieur d'une décharge électrique de courant continu : Application au nitrure de silicium
par Roger Botton sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Dispositif de l'électronique intégrée
Soutenue en 1991
Influence de la technologie de fabrication sur les propriétés électriques des structures capacitives MIS
par Marie-Françoise Blanc-Mignon sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronqiue - Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 1990
Nitruration des couches minces d'oxyde de silicium par activation thermique et par simulation electronique
par Ahmad Benamar sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Chimie - Dispositifs de l'électronique intégrée
Soutenue en 1989
Etude de la migration ionique dans les structures métal-isolant-silicium
par Christophe Choquet sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Dispositifs de l’électronique intégrée
Soutenue en 1989
Développement d'une filière technologique CMOS à grille tungstène
par Véronique Lubowiecki sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Sciences des Matériaux et des surfaces
Soutenue en 1988
Développement de techniques d'analyse électrique et électro-optique des dispositifs MOS
par Jean-Pierre Follegot sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1985
Développement des techniques de caractérisation capacitives
par Boudjemaa Remaki sous la direction de Bernard Balland - Lyon, INSA
Electronique
Soutenue en 1985
