Bernard Balland

Automatisation  Basse température  Bombardement ionique  Bruit électronique  Circuits intégrés à ultra-grande échelle  Composants électroniques  Composés du silicium  Concentration impurete  Conduction ionique  Couches minces  Crystal defect level  Deep level transient spectrometry  Diffusion thermique  Défauts électriques -- Localisation  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma  Détection de défaut  Effet tunnel  Electronique | électrotechnique | matériau semiconducteur | semiconducteur | silicium | dioxyde silicium | cristal | défaut | défaut électrique | détection | photocourant | photoinjection | MOS | structure MOS  Etude expérimentale  Experimental study  Fer|sec  Gold  Impurity density  Impurity level  Ions -- Implantation  Iron  Low temperature  MIS  MOS  MOS  MOS complémentaires  Matériaux -- Propriétés électriques  Matériaux | électronique | électrotechnique | matériau semiconducteur | silicium | défaut matériau | défaut électrique | cristal | implantation ionique | caractérisation  Nitration  Nitrure de silicium  Niveau defaut cristallin  Niveau impurete  Ordinateurs -- Mémoires à accès sélectif  Or|sec  Oxydes  Oxynitrures de silicium  Physique  Plasmas  Porteurs chauds  Propriétés électriques, magnétiques, optiques  Propriétés électroniques  Recuit thermique rapide  Réponse en fréquence  Semiconducteur  Semiconducteurs -- Défauts  Semiconducteurs -- Jonctions  Semiconducteurs  Semiconductor materials  Silice  Silicium  Silicium cristallisé  Silicium|sub  Silicon  Spectrométrie gamma  Spectrométrie transitoire niveau profond  Spectroscopie d'absorption  Tantale  Transistors MOSFET  Transitions métal-isolant  Tungstène -- Composés  Tungstène  Télédétection hyperfréquence  Électronique  Électrotechnique  état condense  

Bernard Balland a dirigé les 17 thèses suivantes :

Dispositifs de l’électronique intégrée
Soutenue en 1989
Thèse soutenue

Sciences des Matériaux et des surfaces
Soutenue en 1988
Thèse soutenue