ALD  Ald  Amorçage  Anisotropie  Anisotropie perpendiculaire  Antiferromagnetiques  Apoptose des cellules cancéreuses  Auto-organisation  Bicouches ferro  Bruit basse fréquences  CVD  Capacité  Capacité MIM  Capteurs  Caractérisation  Caractérisation électrique  Cbram  Chimie  Chimie generale et physique  Claquage  Claquage du diélectrique dépendant du temps  Cmos gaa  Commutation  Commutation résistive  Condensateurs électriques  Constante diélectrique  Copolymère biosourcé  Copolymère diblocs  Copolymère à blocs  Copolymères  Copolymères séquencés  Couches diélectriques minces  Couches minces  Couches minces de HZO  Couple de transfert de spin  Courants de fuite  Diagramme de phase  Diélectrique à faible permittivité  Diélectriques  Dopage  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma  Effet tunnel  Electroluminescence du silicium poreux  Ellipsométrie  Endurance  Etats d’interface  Fdsoi  Fermi level pinning  Ferroelectrique  Ferroélectrique  Fiabilité  Fiabilité d’oxydes  GeSbTe  Germanium  Gravure  Gravure  Gravure Plasma  Gravure downstream  Gravure par plasma  Gst  High-k  Hétérostructures  Hétérostructures axiales  Hétéroépitaxie  Imagerie médicale  Implant O2  Implantion Hydrogène  Injecteur de spins  Interfaces  Intégration 3D  Intégration  Intégration monolithique en 3D  Ions  Jonction Tunnel Magnétique  Jonction tunnel magnétique  Jonctions tunnels magnétiques  Kfm  Lithographie  Lithographie optique 193 nm  MEMS  MOS complémentaires  MRAM  Magnétite  Magnétorésistance  Magnétorésistance tunnel  Manganites  Masque 3D  Matériaux  Matériaux ferromagnétiques  Matériaux nanostructurés  Memristors  Mems  Mesure sans contact  Microelectronique  Microscopie à force atomique  Microscopie à sonde locale  Microélectronique  Modèle OPC  Mram  Mémoire  Mémoire magnétique  NEMS  Nanofil  Nanofils  Nanohydrodynamique  Nanomédecine  Nanoparticules  Nanosciences  Nanosilicium  Nanostructuration  Nanosystèmes électromécaniques  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nems  Non-Contact  Optomécanique  Optomécaniques  Ordinateurs -- Mémoires  Ordinateurs -- Mémoires magnétiques  Ots  Oxides conducteurs inoniques  Oxram  Oxydation  Oxydation anodique  Oxyde  Oxyde de titane  Peald  Permittivité  Perovskites  Photoluminescence du silicium poreux  Photonique  Piezorésistivité  Piégeage-Dépiégeage de charge  Plasma  Plasmas froids  Polysilicium  Poro-Élasticité  Poroélasticité  Procédés  Programming neuromorphique  Préparation de surface  Pérovskites  RET  Recuit sous vapeur de solvant  Recuit thermique rapide  Retournement assisté thermiquement  Réaction d’interface  Résine 3D  Résistive à commutation  SiGe  Silicium , Injection d'électrons polarisés  Silicium -- Alliages  Silicium -- Couches minces  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium cristallisé  Silicium germanium  Silicium poreux  Smart Etch  Spectroscopie VUV  Spectroscopie infrarouge  Spectroscopie ultraviolette sous vide  Spin  Spintronics  Spintronique  Stabilité  Stochasticité  Structure MIM  Structure atomique  Stt-Mram  Systèmes microélectromécaniques  Technique  Technique des plasmas  Thermoélectricité  TiO2  Traitement humide  Transduction  Transfert de spin  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors en couches minces  Variabilité  Variables aléatoires  Xps  Échelle atomique  Électrodes  Électrodes ferromagnétiques , Propriétés magnétiques  Électronique de spin  Électrons -- Polarisation  

Ahmad Bsiesy a rédigé la thèse suivante :


Ahmad Bsiesy dirige actuellement les 4 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2019
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 13-11-2018
Thèse en préparation

Etude des interfaces et de l'encapsulation des mémoires à changement de phase.

par Ludovic Goffart sous la direction de Ahmad Bsiesy , Jean-Philippe Reynard et de Gabriele Navarro . - Université Grenoble Alpes

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 03-04-2018
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2017
Thèse en préparation


Ahmad Bsiesy a dirigé les 11 thèses suivantes :


Ahmad Bsiesy a été président de jury des 19 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 22-09-2020
Thèse soutenue