Antimoine -- Composés  Arseniures  Arséniure de gallium  Arséniures  Auger, Effet  Boîtes quantiques InGaAs/GaP  Caractérisation  Carbure de silicium  Circuits intégrés à faible consommation  Composés semiconducteurs  Couches minces  Croissance  Croissance directe  Croissance localisée  Dft  Diamant -- Couches minces  Diodes tunnel  Diodes électroluminescentes  Défauts ponctuels  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Effet tunnel  Faisceaux moléculaires  Fonctionnelles densité  GaN  Hétérostructures  MOS complémentaires  Microélectronique  Nanofils  Nitrure de gallium  Nitrures  Semiconducteurs -- Dopage  Silicium -- Substrats  Transistors MOSFET  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Xavier Wallart a rédigé la thèse suivante :

Caractérisation de la formation des interfaces silicium-titane et silicium-siliciures de titane

par Xavier Wallart sous la direction de Gisèle Dalmai - Lille 1

Science des matériaux

Soutenue en 1988

Xavier Wallart a dirigé les 8 thèses suivantes :

Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires

par Alexandre Bucamp sous la direction de Ludovic Desplanque et de Xavier Wallart . - Lille 1

Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes

Soutenue le 22-11-2019

Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences

par Thomas Demonchaux sous la direction de Bruno Grandidier et de Xavier Wallart . - Lille 1

Électronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes

Soutenue le 16-05-2018

AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics

par Vinay Kumar Chinni sous la direction de Xavier Wallart , Mohammed Zaknoune et de Ludovic Desplanque . - Lille 1

Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications

Soutenue le 28-03-2017

Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy

par Maria Fahed sous la direction de Xavier Wallart et de Ludovic Desplanque . - Lille 1

Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications

Soutenue le 24-11-2016

Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ

par Salim El Kazzi sous la direction de Xavier Wallart et de Ludovic Desplanque . - Lille 1

Micro et nanotechnologie, acoustique et télécommunication

Soutenue le 13-11-2012

Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés

par Sébastien Dhellemmes sous la direction de Francis Mollot et de Xavier Wallart . - Lille 1

Sciences des matériaux

Soutenue en 2006

Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin

par Thomas Gehin sous la direction de Francis Mollot , Dominiqueff19..-.... Vignaud et de Xavier Wallart . - Lille 1

Sciences des matériaux

Soutenue en 2004

Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT

par Bouchta Layati sous la direction de Yves Druelle , Xavier Wallart , Yves Druelle et de Xavier Wallart . - Lille 1

Électronique

Soutenue en 1996

Xavier Wallart a été rapporteur des 6 thèses suivantes :

Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI)

par Rami Mantach sous la direction de Philippe Vennéguès et de Guy Feuillet . - Université Côte d'Azur (ComUE)

Physique

Soutenue le 10-09-2019

Propriétés structurales, optiques et électriques de nanostructures et alliages à base de GaP pour la photonique intégrée sur silicium

par Ronan Tremblay sous la direction de Charles Cornet - Rennes, INSA

Photonique

Soutenue le 21-11-2018

Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité

par Tiphaine Cerba sous la direction de Thierry Baron - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 24-10-2018

Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III

par Roy Dagher sous la direction de Yvon Cordier - Université Côte d'Azur (ComUE)

Physique

Soutenue le 22-09-2017

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

par Romain Cipro sous la direction de Thierry Baron et de Yann Bogumilowicz . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 29-06-2016

Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins

par Jun Cheng sous la direction de Guillaume Saint-Girons - Ecully, Ecole centrale de Lyon

Marériaux pour la micro- et l'opto-électronique

Soutenue le 21-10-2010

Xavier Wallart a été membre de jury des 2 thèses suivantes :

Dichalcogénures de métaux de transition : défauts ponctuels et jonctions étudiés par DFT et STM

par Van Dung Nguyen sous la direction de Laurence Magaud et de Johann Coraux . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanophysique

Soutenue le 20-11-2019

Hétérostructures polaires et non polaires à base de nitrure de gallium épitaxiées sur ZnO pour applications optoélectroniques

par Yuanyang Xia sous la direction de Jean Massies et de Julien Brault . - Nice

Physique

Soutenue le 01-10-2013